중국 최대 D램 업체 CXMT가 경쟁사를 앞서는 기술을 확보했다고 주장한 뒤 13일 삼성전자와 SK하이닉스 주가가 각각 7% 넘게 하락했다. 업계는 CXMT가 기술 사양과 양산 수율을 공개하지 않은 만큼 실제 상용화까지는 지켜봐야 한다고 본다.
CXMT 최고경영자 차오 칸위(Cao Kanyu)는 상하이에서 9~10일 열린 반도체 행사에서 전류 누설 등 기존 문제를 해결할 수 있는 수직 서라운드 게이트(VSG) 트랜지스터를 개발해 4F² 구조 적용 기반을 마련했다고 밝혔다. 회사는 이 기술을 적용한 서버용 DDR5 메모리 모듈(RDIMM)을 연말까지 출시하겠다고 했다.
4F²는 현재 업계 주류인 6F²보다 메모리 셀 면적을 약 33% 줄여 같은 크기의 칩에 더 많은 데이터를 저장할 수 있는 구조다. SK하이닉스는 지난해 4F² 로드맵을 공개했고, 삼성전자는 2028년 양산을 목표로 10나노미터 미만 D램에 적용하는 방안을 추진하고 있다. 발표된 일정만 보면 CXMT가 삼성전자보다 약 2년 앞선다.
CXMT는 미국의 제재로 네덜란드 ASML의 극자외선(EUV) 노광 장비를 확보하지 못한 상황에서 기존 심자외선(DUV) 장비를 사용하고 구조를 바꿔 집적도를 높이려는 것으로 업계는 해석한다. 회사는 저전력 D램에 집중해왔지만, 이번에는 기술적 요구 수준이 더 높은 서버 메모리를 첫 적용 대상으로 택했다.
모닝스타 애널리스트 징 저웨이(Jing Zhewei)는 CXMT가 4F²를 빠르고 성공적으로 생산에 적용하면 경쟁력이 크게 높아질 수 있다고 평가했다. 다만 선도 메모리 업체와 장비 공급업체도 이 기술 전환의 난도를 강조해왔다며, 제품 공개와 수익성 있는 수율의 상용화 사이에는 상당한 시간이 걸릴 수 있다고 덧붙였다.
CXMT는 엔비디아 AI 가속기에 쓰이는 고대역폭 메모리(HBM) 분야에서는 뒤처져 있지만, 인공지능 수요에 맞춰 첨단 메모리 생산을 확대하고 있다. 카운터포인트 리서치에 따르면 CXMT의 D램 시장 점유율은 올해 2분기 10%로, 1년 전 4%에서 상승했다.
다만 CXMT는 구체적인 사양과 구현 방식, 공정, 수율을 공개하지 않았다. 새로운 기술을 적용하는 일과 안정적으로 대량 생산하는 일은 별개라는 지적도 나온다. 베이 푸(Bei Fu) Union Bancaire Privée 전무는 블룸버그에 올해 시장보다 좋은 성과를 낸 인공지능 관련주, 특히 메모리주에서 투자자들이 차익 실현의 계기를 찾고 있다고 말했다.
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