SanDisk와 Kioxia가 데이터센터용 1페타바이트(PB) SSD에 활용할 수 있는 10세대 QLC 3D 플래시 메모리를 공개했다. 칩의 비트 밀도는 8세대보다 60% 높고, 인터페이스 속도는 시험 조건에서 초당 4.8기가비트(Gb/s)에 도달했다.
이번 메모리는 두 회사의 CMOS 직접 본딩 어레이(CBA) 기술을 적용했다. 서로 따로 제조한 CMOS 웨이퍼와 셀 어레이 웨이퍼를 정밀하게 정렬해 접합하는 방식이다. 칩의 밀도는 제곱밀리미터당 37기가비트(Gb)다.
이 칩을 이용한 1PB SSD는 가정용 시스템에 넣기에는 비용과 공간 측면에서 적합하지 않지만, 고밀도 데이터센터 서버에는 적용할 수 있다고 두 회사는 설명했다. 목표 용량을 구현하려면 64개 또는 128개 다이를 쌓는 고급 3D 패키징이 필요하다. 드라이브에는 길이 318mm의 EDSFF E1.L·E3.L 폼팩터 기판이나, 200×76mm 크기의 E2 폼팩터를 사용할 수 있다.
TechRadar는 SanDisk와 Kioxia의 332단 메모리와 달리 삼성은 1,000개가 넘는 층을 쌓는 방식으로 이 분야에 접근하고 있다고 전했다. 이번 발표는 SanDisk와 Kioxia의 1PB SSD가 2027년에 출시될 가능성을 시사하지만, 실제 제품 출시가 확정된 것은 아니다. 삼성 관련 보도
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